문운당

본 저서는 De Witt G. Ong의 Modern MOS Technology:Processes, Devices, and Design 책을 위주로 하고 E.S. Yang의 Microelectronic Devices와 D.A. Neamen의 Semiconductor Physics & Devices 책을 인용하였으며 학생들의 강의 경험상 긴요한 내용을 중점적으로 강조하여 만들었습니다.
반도체공학 또는 전자공학도 중 반도체를 전공하는 학생들에게 물리전자 교재에서보다는 심도 있게 MOS(Metal Oxide Semiconductor) IC(Integrated Circuit)의 기초를 공부할 기회를 제공하기 위하여 본 교재를 만들게 되었습니다. 현대 전자산업에 사용되는 대부분의 IC는 MOS 소자를 기초로 만들어지나 이를 전문적으로 다루는 교재는 찾아보기 힘들어 다소 부족한 자료지만 교재로 만들었습니다.
내용은 간단한 반도체 물리의 기초, MOS 구조의 동작, MOS 트랜지스터의 동작원리, MOS 디지털 IC, CMOS 동작, 반도체 제조 공정, MOS 집적회로 제조, 레이아웃, 마스크, 패키지 및 수율과 신뢰성 등으로 구성되어 있으며 MOS IC의 동작과 만들어지는 전체 과정의 기초를 이해하는데 도움이 되리라 생각됩니다. 

경상국립대학교 교수 

차례
Chapter 01 반도체 재료와 물성
1-1 실리콘의 결정성 
1-2 실리콘의 성질 
1-3 도너 도핑 
1-4 억셉터 도핑 
1-5 전기 전도

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Chapter 10 수율과 신뢰성

10-1. 수율의 중요성

10-2. 수율 모델

10-3. 신뢰성과 고장 모델

10-4. 고온 테스트 ( burn-in)